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-研究内容-
　　本研究室では、材料工学の立場から半導体実装の研究を行っております。近年までは、ワイヤボンディングの研究を行っておりましたが、半導体のパッケージの多様化が進むにつれ、BGAパッケージや3次元高密度実装の研究まで幅を広げて行っております。また、世界的な電化製品の鉛フリー化に応えるため、鉛フリー材料を用いたパッケージの接合評価の研究や鉛フリーはんだめっきの研究を行っております。本研究室は以下のようなテーマのもとに複合的に結びつけながら研究を行っております。

・はんだリフロー班
　　近年CSP(Chip Size Package)やBGA（Ball Grid Array）パッケージは、小面積で多くの電極をつけることができるという利点の為、携帯電話など高密度実装を必要とする製品に用いられています。
　 　しかし、CSP/BGAによる接合信頼性はこれまでのQFPパッケージよりも低いといわれており、BGAパッケージでの接合信頼性の向上が求められております。そこで、様々な付加を加えることにより、BGAはんだボールの破壊モードの研究を行い、接合信頼性における因子について研究を行っております。また、はんだボールの黒色化、水素プラズマ中でのリフローなど半導体実装の中でも主にはんだに関係している部分の研究をおこなっております。

・はんだめっき班（ウィスカー班）
　　世界的な鉛フリー化への要求に応えるため、QFPのリードフレームへの鉛フリーはんだめっきの開発を行っております。QFPパッケージは、様々なパッケージが登場する中で一番完成している技術であり、これからは電化製品よりもっと過酷な自動車製品などの環境で使われることが期待されております。
　　鉛フリーはんだめっきの一番の技術的な問題は、使用中に発生するウィスカーです。そこで、ウィスカーについて抑制方法と発生メカニズムという二つの観点から研究を行っております。

・バンプ班
　　　これからのユビキタスネットワークに向けて、さらなる高密度実装の開発として３D−SIP（System In Package)用の3次元実装用バンプの研究を行っております。３Dとはシリコンを上に積み重ねるパッケージのことです。ウエハーチップにAuやはんだのバンプをつけてそのバンプ同士の接合を研究しております。10μmバンプを10000個並べてそれを全部接合させる”を目標に開発を行っております。

・接合班（森園助教授）
　


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